功能描述：MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? K5

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：110pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：38W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.6 欧姆 @ 1.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

标准包装：1

STL4N10F7

STL4N80K5

STL4P2UH7

STL4P3LLH6

STL50NH3LL

STL51N3LLH5

STL52N25M5

STL55NH3LL

STL56N3LLH5

STL57N65M5